삼성전자 종합기술원(SAIT)이 AI 반도체 배선 미세화로 인한 저항 증가 문제를 해결하는 원천기술을 개발했어요. 탄소 기반 촉진제를 활용해 금속 결정 배열을 제어, 루테늄 배선의 저항을 45% 낮췄어요.
이번 연구는 세계적 학술지 ‘사이언스’에 게재됐으며, AI 가속기와 고성능컴퓨팅(HPC)용 반도체의 성능과 전력효율을 높이는 데 기여할 것으로 기대돼요.
SAIT 연구진은 배선 소재 변경 대신 금속 내부 결정 구조를 제어하는 방식으로, 기존 방식의 한계를 극복하고 초미세 배선에서 전력 손실을 줄일 수 있을 것으로 예상돼요.